在本節(jié)中,我們將深入地討論多晶硅薄膜的重要特性:●平均晶粒尺寸;●晶界缺陷密度;●晶界復合速度Sgb;●對多晶硅晶界效應的不同解釋;●晶粒尺寸對開路電壓Voc的影響。晶粒尺寸是多晶硅薄膜的一個關鍵參數(shù)。多晶硅層的晶粒尺...[繼續(xù)閱讀]

    銅銦鎵硒薄膜太陽能電池最先進的吸收層材料基于CuInSe2(CISe)。因為其帶隙較小,僅為1.0eV,可以增加Ga,從而得到Cu(In,Ga)Se2,實現(xiàn)1.15eV的標準帶隙。流程工藝還可以加入S,從而得到Cu(In,Ga)(Se,S)2(CIGSSe)。CuInSe2或Cu(In,Ga)(Se,S)2吸收層都需要達到...[繼續(xù)閱讀]

    幾年來,染料敏化太陽能電池受到工業(yè)界的廣泛關注,商業(yè)化組件的開發(fā)進展也很迅速。澳大利亞Dyesol、英國G24Innovation、日本AisinSeiki、德國RWE和瑞士Solaronix是比較知名的染料敏化太陽能電池企業(yè)。Dyesol已經成功生產了大面積組件,用于...[繼續(xù)閱讀]

    在20世紀80年代,很多非晶硅薄膜太陽能電池的研究專注于開發(fā)和優(yōu)化基于a-Si:H的合金。人們結合p型的氫化非晶硅碳a-SiC:H作為較低光吸收的窗口層[8],而將氫化非晶硅鍺a-SiGe:H作為堆積疊層電池的低帶隙層[9],并引入了具有表面絨面(s...[繼續(xù)閱讀]

    如果增加有源層厚度,就會增加光吸收,從而認為體異質結太陽能電池的短路電流會增加。另一方面,根據式(10.22)和式(10.23),當有源層厚度d超過載流子的漂移長度Ld時,復合會引起電學損失。d≥Ld＝μ×τ×F(10.22)F=(10.23)基于這些討論,體異...[繼續(xù)閱讀]

    在區(qū)熔再結晶ZMR工藝調整的許可范圍內,更高的成本可以直接轉化為掃描速度的增加。原則上,ZMR不是高投資的工藝,所以主要的投資成本來自于單位面積的工藝成本。進一步的計算表明,為了使ZMR成本低于10/m2,工藝的掃描速度必須高于...[繼續(xù)閱讀]

    數(shù)十年來,研究太陽能技術的科學家一直在尋求用非硅材料的異質襯底和Si鍍膜工藝來制備薄膜太陽能電池。這種硅基薄膜太陽能電池(silicon-basedthinfilmsolarcell)概念的優(yōu)勢是:大幅度地減少昂貴的太陽能級硅耗用量,而且可以完全不用硅...[繼續(xù)閱讀]

    薄膜太陽能電池技術可以非常有效地使用原材料。傳統(tǒng)晶體硅太陽能電池組件需要0.5～1kg/m2的半導體級硅(semiconductorgradesilicon),而CISe電池組件的每m2原材料耗用量為:Mo7～20g,Cu1.5～4g,In3～9g,Se7～20g,Zn1～3g(依賴于組件結構和良率[114])。...[繼續(xù)閱讀]

    JefPoortmans　比利時校際微電子研究中心(InteruniversityMicroelectronicsCentre,IMEC)...[繼續(xù)閱讀]

    認識到Na對器件性能有重要影響是銅銦鎵硒薄膜太陽能電池研究的重大突破。Na有利于生長機理,得到良好的形貌,更加明顯的是形成高效的p型摻雜。在空間電荷區(qū)復合占主導的電池中,觀察到開路電壓Voc的增加與凈摻雜的增加是一致的...[繼續(xù)閱讀]