銅銦鎵硒薄膜太陽能電池最先進(jìn)的吸收層材料基于CuInSe2(CISe)。因為其帶隙較小,僅為1.0eV,可以增加Ga,從而得到Cu(In,Ga)Se2,實(shí)現(xiàn)1.15eV的標(biāo)準(zhǔn)帶隙。流程工藝還可以加入S,從而得到Cu(In,Ga)(Se,S)2(CIGSSe)。CuInSe2或Cu(In,Ga)(Se,S)2吸收層都需要達(dá)到 (共 525 字) [閱讀本文] >>
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 銅銦鎵硒薄膜太陽能電池最先進(jìn)的吸收層材料基于CuInSe2(CISe)。因為其帶隙較小,僅為1.0eV,可以增加Ga,從而得到Cu(In,Ga)Se2,實(shí)現(xiàn)1.15eV的標(biāo)準(zhǔn)帶隙。流程工藝還可以加入S,從而得到Cu(In,Ga)(Se,S)2(CIGSSe)。CuInSe2或Cu(In,Ga)(Se,S)2吸收層都需要達(dá)到 (共 525 字) [閱讀本文] >>
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