干涉寫(xiě)制技術(shù)的代表有駐波干涉技術(shù)(SWIT)、全息相干技術(shù)(HCT)。1)駐波干涉技術(shù)SWIT由K.O.Hill等人[3]首先發(fā)現(xiàn)并實(shí)現(xiàn),其光柵寫(xiě)制裝置及Hill光柵(即FBG)反射光柵譜如圖2-1所示。(1)成柵機(jī)制。注入光纖的單頻入射光和從光纖另一端面返回的...[繼續(xù)閱讀]

    掩模寫(xiě)制技術(shù)(MWT)有相位掩模技術(shù)(PMT)與振幅掩模技術(shù)(AMT)之別。1)相位掩模技術(shù)相位掩模技術(shù)亦稱相位光柵衍射相干技術(shù),由K.O.Hill等人[8]提出并實(shí)現(xiàn),其光柵寫(xiě)制裝置及FBG光譜如圖2-3所示。圖2-3　相位掩模技術(shù)成柵裝置及FBG反射譜(...[繼續(xù)閱讀]

    逐點(diǎn)寫(xiě)制技術(shù)(PPWT)亦稱點(diǎn)點(diǎn)寫(xiě)入技術(shù),由D.D.Davis等人[10]提出并實(shí)現(xiàn),其光柵寫(xiě)制裝置及利用CO2激光寫(xiě)制的LPFG光譜如2-5所示。圖2-5　逐點(diǎn)寫(xiě)制技術(shù)成柵裝置及LPFG透射譜(1)成柵機(jī)制。將聚焦激光束(如CO2激光或飛秒激光)投射到由精密機(jī)構(gòu)...[繼續(xù)閱讀]

    多次曝光寫(xiě)制技術(shù)是指對(duì)光纖寫(xiě)制區(qū)域進(jìn)行多次曝光,以實(shí)現(xiàn)特殊需求的光纖光柵制作。該技術(shù)一般以二次曝光為主。這種技術(shù)很適用于制作均勻及非均勻的特種光纖光柵。1)掩模板二次曝光技術(shù)該技術(shù)要點(diǎn)為:首先,用一不透光擋板沿...[繼續(xù)閱讀]

    變跡曝光寫(xiě)制技術(shù)是指通過(guò)控制激光的輸出功率以及曝光區(qū)域(纖芯或包層)的掃描方式,實(shí)現(xiàn)對(duì)寫(xiě)制區(qū)域折射率分布的包絡(luò)改變。該技術(shù)很適用于制作諸如切趾型、Tapered型等非均勻光纖光柵,但曝光光束的輸出功率及掃描速率須精確調(diào)...[繼續(xù)閱讀]

    外場(chǎng)作用寫(xiě)制技術(shù)是指在光纖曝光的同時(shí)對(duì)其施加外場(chǎng)作用(如應(yīng)力致拉伸或壓縮、壓力致形變或彎曲、力矩致扭曲或纏繞、溫度致膨脹或收縮等),實(shí)現(xiàn)對(duì)纖芯或包層折射率分布的控制。該技術(shù)適用于各種類型的光纖(如單模光纖、多...[繼續(xù)閱讀]

    光纖在線寫(xiě)制技術(shù)屬于全息相干技術(shù)與逐點(diǎn)寫(xiě)制技術(shù)的有機(jī)組合。在光纖拉制過(guò)程且纖芯未包層之前將光柵寫(xiě)入光纖。改變脈沖激光功率、干涉光束的交角及光纖拉制速度,可靈活地調(diào)控光柵參數(shù)。該技術(shù)對(duì)大批量生產(chǎn)光纖光柵及在...[繼續(xù)閱讀]

    采用特種介質(zhì)對(duì)光纖的表面或內(nèi)部進(jìn)行周期性的涂覆或者填充處理,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)纖芯或包層折射率分布的靈活控制,設(shè)計(jì)和研制多種類型的光纖光柵。對(duì)于涂覆材料以及填充介質(zhì)的選擇,則需根據(jù)光纖光柵的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)來(lái)決定。1)金屬襯...[繼續(xù)閱讀]

    腐蝕拉伸寫(xiě)制技術(shù)是指采用化學(xué)腐蝕的方法對(duì)光纖進(jìn)行處理,使其產(chǎn)生具有周期性的凹陷或形變,從而改變光纖的折射率分布并在應(yīng)力作用下形成光柵。通過(guò)控制光纖腐蝕時(shí)間和區(qū)域、對(duì)光纖軸向施加不同的應(yīng)力作用,可以調(diào)控光柵的...[繼續(xù)閱讀]

    刻槽壓力寫(xiě)制技術(shù)是指利用精密機(jī)械加工技術(shù)刻制周期性的凹形槽對(duì)光纖進(jìn)行側(cè)向施壓,從而產(chǎn)生應(yīng)力型光纖光柵效應(yīng)。該技術(shù)目前使用較少,一般僅限于實(shí)驗(yàn)室研究,采用機(jī)械感生法,可以機(jī)械誘導(dǎo)長(zhǎng)周期光纖光柵(MI-LPFG),如應(yīng)力型LP...[繼續(xù)閱讀]