對(duì)于給定的刻蝕工藝要仔細(xì)選擇化學(xué)性能滿足要求的光刻膠。盡管根據(jù)光源、過程設(shè)備需求和曝光工具不同這些要求有所不同,但是有一些基本原則是相同的:敏感度、對(duì)比度、分辨率、抗蝕性、純度和加工性能[8]。這些性能可以通過...[繼續(xù)閱讀]
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對(duì)于給定的刻蝕工藝要仔細(xì)選擇化學(xué)性能滿足要求的光刻膠。盡管根據(jù)光源、過程設(shè)備需求和曝光工具不同這些要求有所不同,但是有一些基本原則是相同的:敏感度、對(duì)比度、分辨率、抗蝕性、純度和加工性能[8]。這些性能可以通過...[繼續(xù)閱讀]
[1] H.N.McCoy,W.C.Moore,J.Am.Chem.Soc.,33,273(1911).[2] H.Kraus,J.Am.Chem.Soc.,34,1732(1913).[3] H.Akamatu,H.Inokuchi,Y.Matsunaga,Nature,173,168(1954).[4] H.M.McConnell,J.Chem.Phys.,1963,39(1910).[5] (a)J.S.Miller,A.J.Epstein,W.M.Reiff,Mol.Cryst.Liq.Cryst...[繼續(xù)閱讀]
具有均一的孔徑,微孔沸石和分子篩可在尺寸和形狀上區(qū)分和吸附分子,因此可應(yīng)用于許多重要的吸附、離子交換和催化過程。然而,這些無機(jī)框架的小尺寸孔徑嚴(yán)重限制了它們對(duì)于同等尺寸大小的小分子的應(yīng)用。由于這些限制,在過去...[繼續(xù)閱讀]
[1] J.C.P.Broekhoff,B.G.Linsen,inPhysicalandChemicalAspectsofAdsorbentsandCatalysts,B.G.Linsen,Ed.,AcademicPress,London,1970,p.1.[2] K.S.W.Singetal.,PureAppl.Chem.57,603(1985).[3] D.M.Ruthven,Chem.Eng.Prog.2,42(1988).[4] H.G.Karge,J.Weitkamp,Eds.,Zeolites...[繼續(xù)閱讀]
除了經(jīng)典的由金屬原子或離子組成的固體外,磁體還可以由電子傳輸鹽基固體組成,這一概念最初是由McConnell提出的。在1963年,他提出了一個(gè)鐵磁性交換機(jī)制,認(rèn)為相鄰自由基獨(dú)特的空間排列能夠同時(shí)擁有正的和負(fù)的自旋密度[4]。在19...[繼續(xù)閱讀]
聚電解質(zhì)凝膠浸入電解質(zhì)溶液之后在電場(chǎng)作用下變形(就是說,它們有將外界刺激化為機(jī)械能的能力)。自從1982年合成聚合物凝膠的電化學(xué)現(xiàn)象被Tanaka等人第一次觀察到之后[90],許多人研究了聚合物凝膠在電場(chǎng)中的體積變化和變形行為...[繼續(xù)閱讀]
3.5.1 發(fā)光二極管盡管尚未用于器件制造,但研究者們對(duì)于有機(jī)半導(dǎo)體電致發(fā)光特性的了解已有很長(zhǎng)時(shí)間[51]。自從Tang等人[52]報(bào)道了反式8-羥基喹啉鋁(Alq)這種異質(zhì)有機(jī)物的高效電致發(fā)光性能(0.025光子/電子)后,有機(jī)發(fā)光二極管在顯示器...[繼續(xù)閱讀]
在這一節(jié),我們討論化學(xué)氣相沉積(和物理氣相沉積)作為一種沉積方法在微電子工業(yè)中的選擇性應(yīng)用,該沉積方法可以沉積純金屬、半導(dǎo)體、絕緣體和元素混合物。讀者可以參考以下關(guān)于應(yīng)用金屬CVD在集成電路的金屬化工藝中進(jìn)行薄膜...[繼續(xù)閱讀]
在歷史上,最早的文明時(shí)代是根據(jù)當(dāng)時(shí)所使用的關(guān)鍵材料來劃分的:石器時(shí)代、青銅時(shí)代和鐵器時(shí)代。后來的工業(yè)時(shí)代是以為商業(yè)目的而大規(guī)模生產(chǎn)的材料為特征的。盡管也有一些材料因其美學(xué)應(yīng)用而具有價(jià)值(例如,金、銀作裝飾品...[繼續(xù)閱讀]
在這一章里我們討論了薄膜CVD的不同方面,對(duì)化學(xué)氣相沉積工藝的關(guān)鍵特征和分子前驅(qū)體的化學(xué)和物理要求作了詳細(xì)說明。化學(xué)氣相沉積按順序被分成多步來進(jìn)行描述,為了在工藝開發(fā)方面取得重要進(jìn)步,必須控制和理解其中每一步。...[繼續(xù)閱讀]