常壓化學(xué)氣相沉積APCVD的前驅(qū)物是SiHCl3-H2系統(tǒng),對(duì)應(yīng)的生長速率,即沉積速率,依賴于沉積溫度、氣相成分和總氣壓,這很容易得到實(shí)驗(yàn)的證實(shí)(demonstration)。為了確定最優(yōu)化的工作點(diǎn)和最優(yōu)化的反應(yīng)腔幾何設(shè)計(jì),對(duì)沉積反應(yīng)建立分析模型不 (共 985 字) [閱讀本文] >>
海量資源,盡在掌握
 常壓化學(xué)氣相沉積APCVD的前驅(qū)物是SiHCl3-H2系統(tǒng),對(duì)應(yīng)的生長速率,即沉積速率,依賴于沉積溫度、氣相成分和總氣壓,這很容易得到實(shí)驗(yàn)的證實(shí)(demonstration)。為了確定最優(yōu)化的工作點(diǎn)和最優(yōu)化的反應(yīng)腔幾何設(shè)計(jì),對(duì)沉積反應(yīng)建立分析模型不 (共 985 字) [閱讀本文] >>