為了了解區(qū)熔再結(jié)晶ZMR的機理,需要通過實驗分析ZMR生長薄膜的形貌(morphology或topography)。對ZMR生長的薄膜進行射哥蝕刻(Seccoetch),薄膜會出現(xiàn)典型的缺陷結(jié)構(gòu)。對Si薄膜的射哥蝕刻是一種擇優(yōu)蝕刻(preferentialetch或selectiveetch)。按照2∶1的 (共 3029 字) [閱讀本文] >>
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 為了了解區(qū)熔再結(jié)晶ZMR的機理,需要通過實驗分析ZMR生長薄膜的形貌(morphology或topography)。對ZMR生長的薄膜進行射哥蝕刻(Seccoetch),薄膜會出現(xiàn)典型的缺陷結(jié)構(gòu)。對Si薄膜的射哥蝕刻是一種擇優(yōu)蝕刻(preferentialetch或selectiveetch)。按照2∶1的 (共 3029 字) [閱讀本文] >>