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 離子輔助沉積(IonAssistedDeposition,IAD)基于電子槍蒸發(fā)(ElectronGunEvaporation,EGE)和Si的部分離子化(partialionization)[43],如圖1.7所示。外加電壓(externalvoltage或appliedvoltage)會加速Si離子向襯底的運動。典型的加速電壓(accelerationvoltage)為20V,這在單晶 (共 1062 字) [閱讀本文] >>