
 由于四極相互作用不同,產(chǎn)生電場梯度,具體到穆斯堡爾譜學由參數(shù)四極分裂反映出。電場梯度的主要來源如下式[133]:式中(V22)L為具有低于立方對稱的周圍配位體和(或)點陣環(huán)境中的非球形電荷分布;(V22)CF為晶場分裂引起的d軌道非球形 (共 536 字) [閱讀本文] >>
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 由于四極相互作用不同,產(chǎn)生電場梯度,具體到穆斯堡爾譜學由參數(shù)四極分裂反映出。電場梯度的主要來源如下式[133]:式中(V22)L為具有低于立方對稱的周圍配位體和(或)點陣環(huán)境中的非球形電荷分布;(V22)CF為晶場分裂引起的d軌道非球形 (共 536 字) [閱讀本文] >>
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