間接復(fù)合(見圖3.5)還包括以半導(dǎo)體材料晶體結(jié)構(gòu)缺陷為復(fù)合中心的情況。晶體結(jié)構(gòu)缺陷包括空位、位錯、晶界和表面,它們會在禁帶中產(chǎn)生能級,包括深能級(靠近禁帶中心的能級),從而成為間接復(fù)合的中心,同樣有促進(jìn)載流子復(fù)合,降低 (共 941 字) [閱讀本文] >>
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 間接復(fù)合(見圖3.5)還包括以半導(dǎo)體材料晶體結(jié)構(gòu)缺陷為復(fù)合中心的情況。晶體結(jié)構(gòu)缺陷包括空位、位錯、晶界和表面,它們會在禁帶中產(chǎn)生能級,包括深能級(靠近禁帶中心的能級),從而成為間接復(fù)合的中心,同樣有促進(jìn)載流子復(fù)合,降低 (共 941 字) [閱讀本文] >>