單結(jié)晶體管的結(jié)構(gòu)如圖5-28(a)所示,高電阻率的N型半導(dǎo)體硅兩端引出的兩個(gè)電極,分別叫做第一基極B1和第二基極B2,P型半導(dǎo)體上引出的電極叫做發(fā)射極E。為了便于分析單結(jié)晶體管的工作特性,通常把兩個(gè)基極B1和B2之間的N型區(qū)域等效為一 (共 387 字) [閱讀本文] >>
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 單結(jié)晶體管的結(jié)構(gòu)如圖5-28(a)所示,高電阻率的N型半導(dǎo)體硅兩端引出的兩個(gè)電極,分別叫做第一基極B1和第二基極B2,P型半導(dǎo)體上引出的電極叫做發(fā)射極E。為了便于分析單結(jié)晶體管的工作特性,通常把兩個(gè)基極B1和B2之間的N型區(qū)域等效為一 (共 387 字) [閱讀本文] >>