碳摻雜對GaN MIS-HEMT熱阻的調控機制研究

摘要： 針對封裝GaN MIS-HEMT器件，采用實驗結合仿真（ANSYS Icepak）的方式，系統(tǒng)研究了緩沖層碳摻雜濃度對熱阻的調控機制。通過瞬態(tài)熱測試（T3Ster）獲得了器件的瞬態(tài)熱阻抗曲線和微分、積分函數(shù)，建立了基于器件各物理層的5階Cauer型RC熱網絡模型。實驗結果顯示，碳摻雜濃度升高導致結殼熱阻上升9.9%，其中芯片層熱阻增幅達31.2%；仿真結果驗證了碳摻雜可以使緩沖... （共8頁）