基于原子層沉積IGZO場(chǎng)效應(yīng)晶體管的短溝道效應(yīng)優(yōu)化

摘要： 采用原子層沉積技術(shù)在HfO₂/Si襯底上生長(zhǎng)出厚度范圍為7～17 nm的IGZO有源層溝道，基于微納加工工藝制備出背柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，并系統(tǒng)研究了溝道厚度對(duì)抑制短溝道效應(yīng)的影響。研究結(jié)果表明，隨著溝道厚度從17 nm減薄至7 nm，由于量子限域效應(yīng)增強(qiáng)導(dǎo)致的能帶結(jié)構(gòu)改變，器件的閾值電壓從-0.35 V正移至0.42 V，并且在溝道厚度減薄至7 nm時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)遷移率仍保持在15 ... （共7頁(yè)）