耗盡型GaN非易失性存儲器的研究

摘要： 研究了基于SiO₂/SiN/AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)的耗盡型GaN非易失性存儲器，該存儲器中SiN介質(zhì)層作為電荷存儲層，SiO₂層作為隔離層。通過在柵極施加正壓實(shí)現(xiàn)存儲器的寫入模式，將電子引入SiN電荷存儲層。而柵極施加負(fù)壓則能實(shí)現(xiàn)存儲器的擦除模式，清除SiN電荷存儲層中的電子，存儲器恢復(fù)至初始狀態(tài)。在經(jīng)歷10~4次循環(huán)擦寫、10~4 s數(shù)據(jù)保持等可靠性驗(yàn)證后，GaN存儲器依... （共4頁）