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固體電子學(xué)研究與進展(2025年02期)
Research & Progress of SSE
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- 基本信息
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:南京電子器件研究所
:雙月
:1000-3819
- 出版信息
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: 信息科技
: 無線電電子學(xué)
:4803篇
- 評價信息
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:0.588
:0.394
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目 錄
- 氧化鎵射頻器件研究進展
- 耗盡型GaN非易失性存儲器的研究
- 碳化硅MOSFET有源門極驅(qū)動的電壓電流過沖快速檢測電路設(shè)計
- 基于4H-SiC的高溫驅(qū)動電路設(shè)計與制造
- 基于功率合成技術(shù)的0.17 THz瓦級固態(tài)放大器設(shè)計
- 硅基太赫茲壓控振蕩器研究進展
- 面向3D-SiP模組的超寬帶互聯(lián)技術(shù)研究
- 一種高調(diào)諧線性低相位噪聲的正交壓控振蕩器
- 一種基于耦合線功率合成的Ka波段功率放大器
- 一種應(yīng)用于5G的高隔離度雙頻MIMO天線設(shè)計
- 一種超低輸入電壓的熱電能量采集芯片設(shè)計
- 征稿啟事
- 一種低功耗降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計
- 陽極退火對Co陽極準(zhǔn)垂直結(jié)構(gòu)GaN基肖特基二極管性能影響
- 一種靈敏度提高的垂直型霍爾器件及仿真模型
- 具有N型贗埋層的新型SiGe-HBT器件及應(yīng)用研究
- DC~170GHz InP DHBT超寬帶雙?;祛l器