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固體電子學(xué)研究與進展(2025年02期)
Research & Progress of SSE

  • 基本信息
  • 南京電子器件研究所

    雙月

    1000-3819

  • 32-1110/TN

    江蘇省南京市

    中文;

    大16開

    1981

  • 出版信息
  • 信息科技

    無線電電子學(xué)

    4803篇

  • 評價信息
  • 0.588

    0.394

  • CA 化學(xué)文摘(美)(2024)

    JST 日本科學(xué)技術(shù)振興機構(gòu)數(shù)據(jù)庫(日)(2024)

    WJCI 科技期刊世界影響力指數(shù)報告(2023)來源期刊

    1992年(第一版),1996年(第二版),2000年版,2004年版,2008年版,2011年版,2014年版,2017年版,2020年版

    中科雙效期刊;

目 錄

  • 氧化鎵射頻器件研究進展
  • 耗盡型GaN非易失性存儲器的研究
  • 碳化硅MOSFET有源門極驅(qū)動的電壓電流過沖快速檢測電路設(shè)計
  • 基于4H-SiC的高溫驅(qū)動電路設(shè)計與制造
  • 基于功率合成技術(shù)的0.17 THz瓦級固態(tài)放大器設(shè)計
  • 硅基太赫茲壓控振蕩器研究進展
  • 面向3D-SiP模組的超寬帶互聯(lián)技術(shù)研究
  • 一種高調(diào)諧線性低相位噪聲的正交壓控振蕩器
  • 一種基于耦合線功率合成的Ka波段功率放大器
  • 一種應(yīng)用于5G的高隔離度雙頻MIMO天線設(shè)計
  • 一種超低輸入電壓的熱電能量采集芯片設(shè)計
  • 征稿啟事
  • 一種低功耗降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計
  • 陽極退火對Co陽極準(zhǔn)垂直結(jié)構(gòu)GaN基肖特基二極管性能影響
  • 一種靈敏度提高的垂直型霍爾器件及仿真模型
  • 具有N型贗埋層的新型SiGe-HBT器件及應(yīng)用研究
  • DC~170GHz InP DHBT超寬帶雙?;祛l器
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