基于改進(jìn)型熱敏感電參數(shù)的SiC IGBT級聯(lián)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)結(jié)溫預(yù)測模型

摘要： 碳化硅絕緣柵雙極晶體管(SiC IGBT)在高溫、高壓及大功率領(lǐng)域具有極大的應(yīng)用潛力。器件運(yùn)行時(shí)結(jié)溫(T_j)過高會導(dǎo)致閾值電壓漂移、載流子壽命衰減及封裝材料熱失效，成為制約其長期可靠運(yùn)行的核心瓶頸，因此精確獲取T_j信息對器件可靠運(yùn)行至關(guān)重要。典型的組合熱敏感電參數(shù)(TSEP)如導(dǎo)通壓降(V_(CEon))和集電極電流(I_c)為Si IGBT結(jié)溫預(yù)測提供了新路徑。然而，Si... （共11頁）