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高強(qiáng)度燒結(jié)銀的納米晶制備和膏體研究

電子元件與材料 頁數(shù): 7 2025-08-05
摘要: 為滿足碳化硅功率模塊的高溫封裝需求,制備了雙粒徑分布銀顆粒作為互連材料。該材料以硝酸銀為前驅(qū)體,通過調(diào)控鹽酸成核劑用量、反應(yīng)溫度和反應(yīng)時(shí)間,實(shí)現(xiàn)了在微米級(jí)銀顆粒表面原位生長納米銀顆粒的可控制備。通過調(diào)控有機(jī)物的種類與用量制備微納米銀復(fù)合膏體,通過燒結(jié)實(shí)驗(yàn)對比,研究了銀膏在銀基板間的燒結(jié)特性和微連接性能。當(dāng)銀膏燒結(jié)溫度為300℃時(shí),剪切強(qiáng)度最大達(dá)到88 MPa,達(dá)到了碳化硅器件封... (共7頁)

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