不對稱布局下SiC MOSFET并聯(lián)動態(tài)電流均衡芯片分選方法

摘要： SiC MOSFET憑借其優(yōu)異的性能，在高壓電能變換領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。然而，在大電流等級下采用并聯(lián)應(yīng)用時，受電路參數(shù)和芯片參數(shù)差異的影響，并聯(lián)芯片間存在電流分配不均衡的問題，由此導(dǎo)致并聯(lián)芯片的結(jié)溫差異，嚴重情況下引發(fā)可靠性問題并導(dǎo)致并聯(lián)芯片失效。為了抑制并聯(lián)芯片間的不均衡電流，該文首先分析了不對稱布局下的并聯(lián)芯片的動態(tài)電流分布特性，并建立了并聯(lián)芯片電流分布與閾值電壓之間的... （共11頁）