基于SOI BCD工藝的高靈敏度縱向集成型霍爾器件研究

摘要： 基于三維仿真，提出了一種基于SOI BCD工藝的高靈敏度縱向集成型霍爾器件，通過(guò)增加淺P阱隔離結(jié)構(gòu)和深槽插指結(jié)構(gòu)(DTFs)優(yōu)化電流路徑分布，抑制短路效應(yīng)并提高縱向電流比例，從而提高器件的靈敏度。測(cè)試結(jié)果表明：新結(jié)構(gòu)的靈敏度為464 V/AT,相比傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)提升了102%,器件初始失調(diào)電壓為0.64 mV,輸入電阻為14 kΩ,在298 K～398 K溫度范圍內(nèi)，電阻的一階溫漂為... （共7頁(yè)）