集成串轉(zhuǎn)并數(shù)字電路的C波段GaAs雙通道幅相多功能芯片

電子科技大學(xué)學(xué)報頁數(shù)： 9 2025-11-30

摘要：基于0.15-μm GaAs增強(qiáng)型贗配高電子遷移率晶體管（E-mode pHEMT）工藝，研制了一款5.8～6.8 GHz的C波段雙通道幅相多功能芯片。該芯片集成了7位數(shù)控衰減器、增益補(bǔ)償?shù)驮肼暦糯笃鳌?位數(shù)控移相器、功分器和30位串轉(zhuǎn)并等電路。集成的串轉(zhuǎn)并數(shù)字電路用于對兩個通道的衰減移相進(jìn)行控制和識別芯片地址。測試結(jié)果表明，參考態(tài)時，2個通道的增益為0～0.5 dB和-0.1... （共9頁）

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