GaN HEMT功率器件的改進型在線死區(qū)補償方法研究
電源學報
頁數(shù)： 13 2023-08-21
摘要： 為了保證三相橋臂安全可靠運行，需要設置合理的死區(qū)時間。氮化鎵高電子遷移率晶體管Ga N HEMT(gallium nitride high-electron mobility transistor)由于器件本身特性，死區(qū)時間內電壓變化情況與傳統(tǒng)Si器件存在差異。對Ga N HEMT功率器件反向導通壓降較大的問題進行分析，提出了一種基于Ga N HEMT功率器件的改進型在線死區(qū)補... （共13頁）
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