一種高速柵壓自舉采樣開關(guān)設(shè)計

摘要： 基于40 nm/0.9 V標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝，設(shè)計了一種新型的高速柵壓自舉采樣開關(guān)，通過添加MOS管來加速采樣管的充放電過程，使其可以適用于高速型的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)中。通過對電路結(jié)構(gòu)的調(diào)整，抑制了電路中寄生電容之間的耦合效應(yīng)，提升了電路的性能指標(biāo)，在500 MHz的采樣頻率下，輸入頻率為5 MHz、幅值為0.6 V的正弦波信號，對其進行采樣。得到電路的性能指標(biāo)如下：有效位數(shù)(ENOB... （共5頁）