面向存儲和神經(jīng)形態(tài)計(jì)算應(yīng)用的CBRAM發(fā)展綜述

摘要： 導(dǎo)電橋式隨機(jī)存儲器(CBRAM)作為一種新興的非易失性存儲器技術(shù)，近年來在半導(dǎo)體存儲領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注。隨著物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、可穿戴設(shè)備、移動計(jì)算等應(yīng)用的快速發(fā)展，對存儲器的性能、功耗、尺寸和成本提出了更高的要求，CBRAM等新一代存儲器技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。本文闡述了CBRAM的基本概念與基本結(jié)構(gòu)；詳細(xì)分析了不同介質(zhì)層中導(dǎo)電細(xì)絲的形成機(jī)理；對比了不同電極材料和介質(zhì)層材料制備的器件電學(xué)... （共12頁）