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AlGaN/GaN HEMT器件有效柵長和柵寬提取

摘要： 有效柵長、有效柵寬和溝道電阻等AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)參數(shù)對于工藝控制和器件設(shè)計(jì)非常重要.基于AlGaN/GaN HEMT器件源漏之間的總電阻與柵長及柵寬的倒數(shù)之間的線性關(guān)系，提出了一種簡單方法提取有效柵長和有效柵寬.制作了兩組AlGaN/GaN HEMT器件，這兩組器件的源漏間距為80μm,柵源間距為10μm.其中一組器件固定柵寬為400μm,柵長分別... （共6頁）

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