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面向聚變中子探測的寬禁帶半導體探測器關鍵問題與研究挑戰(zhàn)

電子學報 頁數(shù): 6 2024-08-15
摘要: 近年來國際聚變反應研究獲得重大進展,選擇抗位移能力強的寬禁帶半導體探測器是推動聚變研究的關鍵技術之一.金剛石超寬禁帶半導體具備卓越抗輻照和時間響應等特性,是聚變診斷特別是高能中子診斷的理想材料,碳化硅寬禁帶半導體也可測量中子,且大尺寸外延技術更成熟,可覆蓋聚變研究裝置上的大規(guī)模應用.通過這兩種寬禁帶半導體輻射探測器的研究并實現(xiàn)自主可控的高性能器件制備,將顯著提高我國核聚變反應測... (共6頁)

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