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不同基底氘鈦靶性能研究

原子能科學(xué)技術(shù) 頁(yè)數(shù): 9 2024-05-17
摘要: 中子發(fā)生器的靶片性能影響中子產(chǎn)額和穩(wěn)定性。為防止鈦膜和基底材料間生成合金,進(jìn)而影響靶片性能,本研究在氘鈦靶儲(chǔ)氫層與基底層之間采用了鍍金工藝,以阻止鈦膜和靶片的基底材料相互滲透,進(jìn)而影響鈦膜中鈦元素濃度,造成靶上有效氘濃度降低。經(jīng)過對(duì)比測(cè)試,鉬基底鍍金氘鈦靶的中子產(chǎn)額可達(dá)到1.61×109 s-1,在束流強(qiáng)度一定的條件下,其中子產(chǎn)額及穩(wěn)定性優(yōu)于銅基底鍍金氘鈦靶和純鉬基底氘鈦靶。電... (共9頁(yè))

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