基于倒金字塔結(jié)構(gòu)的自供電Si/PEDOT:PSS異質(zhì)結(jié)光電探測(cè)器

摘要： 隨著光電器件的進(jìn)一步發(fā)展，陷光結(jié)構(gòu)得到廣泛關(guān)注，但是倒金字塔結(jié)構(gòu)、尺寸與其陷光性能之間的關(guān)系有待深入研究。本文采用銅銀共輔助腐蝕法制備倒金字塔結(jié)構(gòu)并實(shí)現(xiàn)倒金字塔結(jié)構(gòu)的尺寸在1μm以下調(diào)控，研究發(fā)現(xiàn)平均尺寸為1μm倒金字塔結(jié)構(gòu)具有最優(yōu)異的陷光性能。將具有優(yōu)異陷光性能的倒金字塔結(jié)構(gòu)硅襯底應(yīng)用于Si/PEDOT:PSS異質(zhì)結(jié)光電探測(cè)器，該光電探測(cè)器在外加0 V偏壓條件下對(duì)980 nm... （共9頁）