一種高頻單片GaN DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)
微電子學(xué)
頁(yè)數(shù)： 7 2024-06-20
摘要： 基于全耗盡型(D-mode) 0.25μm硅基氮化鎵(GaN-on-Si)工藝，設(shè)計(jì)了一款高頻單片GaN DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器芯片。該芯片集成了驅(qū)動(dòng)電路和半橋功率級(jí)電路，驅(qū)動(dòng)電路中電平放大功能通過(guò)有源上拉結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)，在100～200 MHz頻率范圍內(nèi)，單片GaN DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器可直接被0.7 V的高速脈沖信號(hào)控制，無(wú)需片外模塊，其峰值功率級(jí)效率達(dá)到92.2%,峰值總效率達(dá)到... （共7頁(yè)）
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