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一種基于55 nm CMOS工藝的V波段高功率寬帶功率放大器

微電子學 頁數(shù): 6 2024-05-30
摘要: 基于標準55 nm CMOS工藝設計了一款工作在V波段下的高輸出功率寬帶功率放大器,放大器采用交叉中和電容技術來提高功率放大器的增益和穩(wěn)定性,并通過兩路功率合成網(wǎng)絡提高輸出功率。通過多頻點疊加技術設計級間變壓器,拓展放大器帶寬。仿真結果表明,在1.2 V電源電壓下,放大器的3 dB帶寬為14.5 GHz,靜態(tài)直流功耗為184 mW,飽和輸出功率為13.2 dBm,小信號增益為1... (共6頁)

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