一種注入增強型快速SOI-LIGBT新結構研究

摘要： 薄頂層硅SOI(Silicon on Insulator)橫向絕緣柵雙極型晶體管(Lateral Insulated-Gate Bipolar Transistor, LIGBT)的正向飽和電壓較高，引入旨在減小關斷態(tài)拖尾電流的集電極短路結構后，正向飽和電壓進一步增大。提出了一種注入增強型(Injection Enhancement, IE)快速LIGBT新結構器件(F-IE-... （共5頁）