一種襯底波紋注入的寬頻帶高PSR無片外電容LDO

摘要： 基于40 nm CMOS工藝，設(shè)計了一種具有高頻高電源抑制(PSR)的無片外電容低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)電路。電路采用1.1 V電源供電，LDO輸出電壓穩(wěn)定在0.9 V。仿真結(jié)果表明，傳統(tǒng)無片外電容LDO電路的PSR將會在環(huán)路的單位增益頻率(UGF)處上升到一個尖峰，之后才經(jīng)輸出節(jié)點處的電容到地的通路開始降低，最高時PSR甚至大于0 dB。采用新型的襯底波紋注入技術(shù)的LDO能... （共7頁）