一種溝槽-場限環(huán)復(fù)合終端結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)

摘要： 為了改善硅功率器件擊穿電壓性能以及改善IGBT電流的流動(dòng)方向，提出了一種溝槽-場限環(huán)復(fù)合終端結(jié)構(gòu)。分別在主結(jié)處引入浮空多晶硅溝槽，在場限環(huán)的左側(cè)引入帶介質(zhì)的溝槽，溝槽右側(cè)與場限環(huán)左側(cè)橫向擴(kuò)展界面剛好交接。結(jié)果表明，這一結(jié)構(gòu)改善了IGBT主結(jié)電流絲分布，將一部分電流路徑改為縱向流動(dòng)，改變了碰撞電離路徑，在提高主結(jié)電勢的同時(shí)也提高器件終端結(jié)構(gòu)的可靠性；帶介質(zhì)槽的場限環(huán)結(jié)構(gòu)進(jìn)一步縮短... （共5頁）