具有低EMI和低開啟損耗的浮空P區(qū)IGBT研究

摘要： 為了優(yōu)化浮空P區(qū)IGBT結構的電磁干擾噪聲(EMI)與開啟損耗(E_(on))的折中關系，提出一種假柵溝槽連接多晶硅阻擋層的浮空P區(qū)IGBT結構。新結構在浮空P區(qū)內引入對稱的兩個假柵溝槽，并通過多晶硅層連接。假柵溝槽將浮空P區(qū)分為三部分，減少了柵極溝槽附近的空穴積累，降低了柵極的固有位移電流。二維結構仿真表明，在小電流開啟時，該結構與傳統(tǒng)結構相比，柵極溝槽空穴電流密度減小90%... （共6頁）