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U型高K介質(zhì)膜槽柵垂直場(chǎng)板LDMOS

微電子學(xué) 頁(yè)數(shù): 6 2024-02-20
摘要: 近年來(lái),隨著汽車(chē)電子和電源驅(qū)動(dòng)的發(fā)展,集成度較高的LDMOS作為熱門(mén)功率器件受到了關(guān)注,如何提高其擊穿電壓與降低其比導(dǎo)通電阻成為提高器件性能的關(guān)鍵?;赟OI LDMOS技術(shù),文章提出了在被4μm的高K介質(zhì)膜包圍的SiO2溝槽中引入垂直場(chǎng)板的新型結(jié)構(gòu)。與傳統(tǒng)溝槽LDMOS相比,垂直場(chǎng)板和高K介質(zhì)膜充分地將電勢(shì)線(xiàn)引導(dǎo)至溝槽中,提高了擊穿電壓。此外垂直場(chǎng)板與高K介質(zhì)和漂移區(qū)形成的... (共6頁(yè))

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