插層Al₂O₃對(duì)氧化鉿基憶阻器的性能優(yōu)化及多值特性研究

摘要： 近年來(lái)，氧化鉿基憶阻器因其優(yōu)異的阻變性能及與CMOS工藝兼容等特點(diǎn)而被廣泛研究。然而，氧化鉿基憶阻器仍存在以下問(wèn)題：1)器件良率、可靠性、均一性不足；2) Set和Reset過(guò)程中電流突變，導(dǎo)致多值特性較差。為實(shí)現(xiàn)氧化鉿基憶阻器的性能優(yōu)化及多值特性，文章在HfO₂表面生長(zhǎng)一層1～5 nm Al₂O₃,構(gòu)造Al₂O₃/HfO₂雙介質(zhì)層憶阻器，并對(duì)HfO₂和Al₂O... （共11頁(yè)）