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基于UTB-SOI技術(shù)的雙輔助觸發(fā)SCR ESD防護(hù)器件研究

微電子學(xué) 頁(yè)數(shù)： 5 2023-12-20
摘要： 為了提高FDSOI ESD防護(hù)器件的二次擊穿電流，基于UTB-SOI技術(shù)，提出了一種SOI gg-NMOS和寄生體硅PNP晶體管雙輔助觸發(fā)SCR器件。通過gg-NMOS源區(qū)的電子注入和寄生PNP晶體管的開啟，共同輔助觸發(fā)主泄放路徑SCR,快速泄放ESD電流。TCAD仿真結(jié)果表明，新結(jié)構(gòu)能夠泄放較高的二次擊穿電流，具有可調(diào)節(jié)的觸發(fā)電壓。 （共5頁(yè)）

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