基于保護門的納米CMOS電路抗單粒子瞬態(tài)加固技術(shù)研究

摘要： 隨著器件特征尺寸的縮減，單粒子瞬態(tài)效應(yīng)(SET)成為空間輻射環(huán)境中先進集成電路可靠性的主要威脅之一。基于保護門，提出了一種抗SET的加固單元。該加固單元不僅可以過濾組合邏輯電路傳播的SET脈沖，而且因邏輯門的電氣遮掩效應(yīng)和電氣隔離，可對SET脈沖產(chǎn)生衰減作用，進而減弱到達時序電路的SET脈沖。在45 nm工藝節(jié)點下，開展了電路的隨機SET故障注入仿真分析。結(jié)果表明，與其他加固單... （共5頁）