SiGe HBT瞬時劑量率效應(yīng)實驗及仿真研究

摘要： 鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(SiGe Heterojunction Bipolar Transistor, SiGe HBT)由于其優(yōu)異的溫度和頻率特性，在航空航天等極端環(huán)境中具有良好的使用前景，其輻射效應(yīng)得到了廣泛關(guān)注。針對KT9041 SiGe HBT進行了瞬時γ射線及脈沖激光輻照實驗，獲得其瞬時劑量率效應(yīng)(Transient Dose Rate Effect, TDRE)響應(yīng)。... （共10頁）