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SRAM單元的單粒子效應(yīng)三維敏感區(qū)形狀參數(shù)模擬仿真方法

航天器環(huán)境工程 頁數(shù)： 8 2023-12-25
摘要： 為揭示靜態(tài)隨機(jī)存儲器（SRAM）輻射效應(yīng)以及內(nèi)部電荷收集變化規(guī)律，從而為器件輻射效應(yīng)及加固提供有效的仿真數(shù)據(jù)支撐，針對器件在軌單粒子翻轉(zhuǎn)（SEU），提出一種SRAM單元的三維敏感區(qū)形狀參數(shù)模擬仿真方法。首先通過器件級和電路級仿真相結(jié)合的手段，利用計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)（TCAD）構(gòu)建三維模型；然后通過仿真獲得重離子從不同方向入射后的單粒子瞬態(tài)電流，將此電流作為故障注入到65 nm SR... （共8頁）

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