3D NAND閃存中氟攻擊問題引起的字線漏電的改進

摘要： 隨著3D NAND閃存向更高層數(shù)堆疊,后柵工藝下,金屬鎢(W)柵字線(WL)層填充工藝面臨的挑戰(zhàn)進一步增大.由于填充路徑增長,鎢柵在沉積過程中易產(chǎn)生空洞,造成含氟(F)副產(chǎn)物的聚集,引起氟攻擊問題.具體表現(xiàn)為,在后續(xù)高溫制程的激發(fā)下,含氟副產(chǎn)物向周圍結(jié)構(gòu)擴散,侵蝕其周邊氧化物層,導(dǎo)致字線漏電,影響器件的良率及可靠性.本文首先分析了在3D NAND閃存中氟攻擊的微觀原理,并提出了... （共6頁）