氮化鎵功率器件/模塊封裝技術研究進展

摘要： 氮化鎵(Ga N)作為典型的寬禁帶半導體材料，具有高耐溫、高耐擊穿電壓以及高電子遷移速率的優(yōu)勢，封裝技術對于充分發(fā)揮Ga N的以上優(yōu)勢并保障工作可靠性十分關鍵。文中首先對比分析Si基、Si C基和Ga N基器件/模塊封裝的異同，隨后從封裝雜散電感、封裝散熱設計和封裝連接可靠性3個方面，分別介紹其帶來的問題以及解決方案，討論目前研究可能存在的不足?；诰C述分析，最后提出未來Ga ...