掠入射涂硼多絲正比室中子探測(cè)器設(shè)計(jì)及其性能模擬
核電子學(xué)與探測(cè)技術(shù)
頁(yè)數(shù): 7 2023-03-20
摘要: 針對(duì)國(guó)內(nèi)中子散射譜儀對(duì)高效率高位置分辨的熱中子探測(cè)器需求,對(duì)基于多層掠入射涂硼多絲室的新型位置靈敏中子探測(cè)器進(jìn)行了模擬研究。利用蒙特卡洛模擬軟件Geant4對(duì)探測(cè)器的中子探測(cè)效率、位置分辨率以及基材對(duì)中子的散射進(jìn)行了模擬仿真。結(jié)果表明,采用掠入射多層結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)較高的中子探測(cè)效率和位置分辨率。當(dāng)掠入射角度為5°時(shí),采用3層結(jié)構(gòu)可以對(duì)波長(zhǎng)2.5 A的熱中子實(shí)現(xiàn)62%的探測(cè)效率;對(duì)...