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基于碳化硅探測(cè)器的前端信號(hào)調(diào)理電路設(shè)計(jì)

核電子學(xué)與探測(cè)技術(shù) 頁數(shù): 8 2023-05-20
摘要: 碳化硅探測(cè)器能夠在高溫、高輻射強(qiáng)度下穩(wěn)定工作,適用于核輻射探測(cè)。碳化硅探測(cè)器輸出端連接前端信號(hào)調(diào)理電路,能夠放大碳化硅探測(cè)器輸出的微弱信號(hào),從而使后端設(shè)備采集到準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)。設(shè)計(jì)了前端信號(hào)調(diào)理電路,包括電荷靈敏前置放大電路和脈沖成形主放大電路,重點(diǎn)分析了影響電荷靈敏前置放大電路變換增益、上升時(shí)間、噪聲等性能指標(biāo)的影響因素,采用阻容反饋、極零相消、有源濾波成形等設(shè)計(jì)提升電路的整體性...

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