硅基N溝道VDMOS不同偏置下總劑量效應(yīng)研究

摘要： 通過⁶⁰Co γ射線輻照試驗(yàn)，研究了不同柵極和漏極偏置下硅基N溝道VDMOS器件的總劑量效應(yīng)，獲得了器件的電學(xué)特性與低頻噪聲特性隨輻射總劑量的變化規(guī)律。試驗(yàn)結(jié)果表明：受輻射誘生的氧化物陷阱電荷與界面陷阱電荷的影響，在柵極偏置為+20 V時(shí)，器件的電學(xué)特性隨累積劑量的增大而退化明顯。通過退火試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，相比于導(dǎo)通電阻和正向壓降，閾值電壓、漏電流、亞閾值擺幅和輸出電容對(duì)于總劑量...