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SOI硅微劑量計(jì)物理結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中的電荷收集及能量沉積特性模擬研究

輻射防護(hù) 頁數(shù)： 8 2023-09-20
摘要： 采用TCAD軟件和蒙特卡羅方法對SOI硅微劑量計(jì)的電荷收集特性與能量沉積特性進(jìn)行了研究。分析了電場分布隨探測單元形狀、尺寸、電極注入深度、入射粒子種類和能量的變化情況以及微劑量譜隨探測單元形狀以及聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)轉(zhuǎn)換層厚度的變化情況。模擬結(jié)果表明，在10μm的范圍內(nèi)，硅探測單元采用圓柱型或立方體結(jié)構(gòu)對電荷收集效率和能量沉積的影響均很小，探測單元高度越高、半徑越小，電...

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