基于鐵電晶體管的存儲(chǔ)與存算一體電路
電子與信息學(xué)報(bào)
頁(yè)數(shù): 15 2023-08-21
摘要: 近年來(lái),物聯(lián)網(wǎng)和人工智能等技術(shù)的發(fā)展對(duì)片上存儲(chǔ)與智能計(jì)算的能效、密度以及性能提出了更高的要求。面對(duì)傳統(tǒng)CMOS處理器的能效與密度瓶頸,以及傳統(tǒng)馮·諾伊曼架構(gòu)的“存儲(chǔ)墻”瓶頸,以鐵電晶體管(FeFET)為代表的新型非易失存儲(chǔ)器(NVM)提供了新的機(jī)遇。FeFET具有非易失、高能效、高開(kāi)關(guān)比等特點(diǎn),非常適合低功耗、高密度場(chǎng)景下的存儲(chǔ)與存算一體(CiM)應(yīng)用,為數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用在邊緣端... (共15頁(yè))