總劑量與單粒子協(xié)合效應(yīng)對SRAM單粒子翻轉(zhuǎn)敏感性影響的仿真研究

摘要： 靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）在空間環(huán)境中可能會受到總電離劑量（TID）效應(yīng)和單粒子效應(yīng)（SEE）協(xié)合作用的影響，導(dǎo)致器件單粒子翻轉(zhuǎn)（SEU）的敏感性發(fā)生改變。文章針對90 nm的SRAM器件，通過器件級和電路級的綜合仿真手段，利用計算機輔助設(shè)計（TCAD）和集成電路模擬程序（SPICE）軟件研究TID和SEE的協(xié)合作用對SRAM器件SEU敏感性的影響機制。發(fā)現(xiàn)：當(dāng)TID和SEE作... （共9頁）