抗輻照MRAM研究進(jìn)展
國(guó)防科技大學(xué)學(xué)報(bào)
頁(yè)數(shù)： 22 2023-12-12
摘要： 新型非易失磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器(magnetic random access memory, MRAM)具有讀寫速度快、數(shù)據(jù)保持時(shí)間長(zhǎng)、功耗低等優(yōu)點(diǎn)，引起了研究人員的廣泛關(guān)注。其優(yōu)異的抗輻照能力被人們深入挖掘，有望進(jìn)一步應(yīng)用于航天等領(lǐng)域。本文回顧了MRAM的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展歷程、技術(shù)變革及應(yīng)用情況，列舉了近年成熟的MRAM產(chǎn)品，對(duì)不同的代際MRAM的優(yōu)缺點(diǎn)進(jìn)行了剖析；對(duì)MRAM核心存儲(chǔ)單元... （共22頁(yè)）
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