抗溫度干擾的STT-MRAM隨機數(shù)生成器及其安全性分析

摘要： 近年來，各向異性磁性材料因良好的隨機特性為隨機數(shù)發(fā)生器（Random Number Generator,RNG）等重要的硬件安全原語設(shè)計提供了一種新思路。已有的基于磁隧道結(jié)（Magnetic Tunnel Junction,MTJ）的隨機數(shù)發(fā)生器方案雖然具有更高的安全性、能效和集成度等優(yōu)點，但依然無法有效解決輸出序列隨機性受溫度影響的問題。文章提出了非均勻?qū)懭敕ê头枪潭▍⒖挤▋?.. （共8頁）