一種新型阻變存儲(chǔ)器1T2R存儲(chǔ)單元
固體電子學(xué)研究與進(jìn)展
頁數(shù): 7 2022-10-25
摘要: 提出了一種新型阻變存儲(chǔ)器(RRAM)1T2R結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)利用一個(gè)大尺寸晶體管驅(qū)動(dòng)兩個(gè)憶阻器,彌補(bǔ)了工藝節(jié)點(diǎn)縮小帶來的晶體管驅(qū)動(dòng)能力不足的缺點(diǎn)。針對(duì)RRAM 1T2R結(jié)構(gòu)中固有的串?dāng)_路徑問題,專門設(shè)計(jì)的讀方法可以截?cái)啻當(dāng)_路徑,抑制串?dāng)_電流,使得一個(gè)1T2R存儲(chǔ)單元可以有效存儲(chǔ)2 bit信息,提高RRAM的存儲(chǔ)密度。同時(shí),還可以通過直接讀取BL上的電流對(duì)同一個(gè)存儲(chǔ)單元內(nèi)的2 bit... (共7頁)