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微電子學(xué)(2025年05期)
Microelectronics
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- 基本信息
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主辦單位 :四川固體電路研究所出版周期 :雙月ISSN :1004-3365
- 出版信息
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專輯名稱 : 信息科技專題名稱 : 無線電電子學(xué)出版文獻(xiàn)量 :6992篇
- 評(píng)價(jià)信息
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(2023版)復(fù)合影響因子 :0.774(2023版)綜合影響因子 :0.438該刊被以下數(shù)據(jù)庫(kù)收錄 :
目 錄
- 面向RTL仿真的多平臺(tái)并行加速技術(shù)綜述
- 面向SpinalHDL的大語(yǔ)言模型代碼生成增強(qiáng)框架及性能評(píng)價(jià)基準(zhǔn)
- 脈沖神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的神經(jīng)元重要性度量方法
- 一種采用新型共模反饋方案的殘差放大器設(shè)計(jì)
- 恒定振幅低壓控增益變化的寬帶LC-VCO設(shè)計(jì)
- 基于圖像融合的近似加法器雙維度評(píng)估框架
- 一種集成新型CTLE的32 Gbps SerDes接收機(jī)模擬前端設(shè)計(jì)
- 一種用于Pipeline ADC的采樣噪聲消除技術(shù)
- 一種面向車規(guī)應(yīng)用的低電壓域高電源抑制的帶隙基準(zhǔn)源
- 一種適用于雙電極的全動(dòng)態(tài)工頻干擾抑制技術(shù)
- 一種高精度低溫漂的光耦隔離放大器
- 一種高線性度壓控占空比PWM產(chǎn)生電路
- 一種具有高噪聲抗擾度的高速電平移位電路
- 5~6 GHz CMOS高精度幅相控制多功能芯片設(shè)計(jì)
- 一種W波段SiGe BiCMOS下變頻混頻器
- 基于滑尺法的高精度高動(dòng)態(tài)范圍的TDC的設(shè)計(jì)
- 高速高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換器研究進(jìn)展
- 28 nm NMOS器件的熱載流子退化特性研究
- 基于BSIM-CMG緊湊模型的鍺核-硅殼NSFET的SPICE建模
- 界面陷阱電荷對(duì)NT-JLFET性能的影響研究
- 電熱應(yīng)力下GaN功率器件閾值電壓漂移及恢復(fù)特性研究
- p-NiO RESURF結(jié)構(gòu)的GaN HEMT特性研究
- 一種VNPN雙極器件總電離劑量輻射加固方法
- 低能重離子對(duì)氧化鈮莫特憶阻器的性能影響
- 溫度循環(huán)下陶瓷針柵陣列失效分析及優(yōu)化研究
- 28 nm SRAM型SoC FPGA的電離總劑量效應(yīng)
- 基于QML的宇航級(jí)超大規(guī)模集成電路封測(cè)可靠性評(píng)價(jià)方法
- 熱載荷環(huán)境下CSOP封裝器件應(yīng)力分析及優(yōu)化
- 集成電路設(shè)計(jì)與EDA技術(shù)專題前言